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如何把二氧化硅硅球表面

作者:化工綜合網(wǎng)發(fā)布時間:2023-10-15分類:橡膠制品瀏覽:96


導讀:一、如何把二氧化硅硅球表面氧化硅表面可能吸附部分水,不可能完全徹底,就是原硅酸脫水過程,而這個脫水過程,這個在硅膠制造過程是非常常見的,因為二氧化硅合成過程,不同二氧化硅處理工藝...

一、如何把二氧化硅硅球表面

氧化硅表面可能吸附部分水,不可能完全徹底,就是原硅酸脫水過程,而這個脫水過程,這個在硅膠制造過程是非常常見的,因為二氧化硅合成過程,不同二氧化硅處理工藝,可以控制其表面羥基含量

二、沙子為什么能變成制作芯片用的硅?

不是隨便抓一把沙子就可以做原料的,一定要精挑細選,從中提取出最最純凈的硅原料才行。試想一下,如果用那最最廉價而又儲量充足的原料做成CPU,那么成品的質量會怎樣,你還能用上像現(xiàn)在這樣高性能的處理器嗎?

首先,硅原料要進行化學提純,這一步驟使其達到可供半導體工業(yè)使用的原料級別。而為了使這些硅原料能夠滿足集成電路制造的加工需要,還必須將其整形,這一步是通過溶化硅原料,然后將液態(tài)硅注入大型高溫石英容器而完成的。

而后,將原料進行高溫溶化。中學化學課上我們學到過,許多固體內部原子是晶體結構,硅也是如此。為了達到高性能處理器的要求,整塊硅原料必須高度純凈,及單晶硅。然后從高溫容器中采用旋轉拉伸的方式將硅原料取出,此時一個圓柱體的硅錠就產(chǎn)生了。從目前所使用的工藝來看,硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。不過現(xiàn)在intel和其它一些公司已經(jīng)開始使用300毫米直徑的硅錠了。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當?shù)碾y度的,不過只要企業(yè)肯投入大批資金來研究,還是可以實現(xiàn)的。intel為研制和生產(chǎn)300毫米硅錠而建立的工廠耗費了大約35億美元,新技術的成功使得intel可以制造復雜程度更高,功能更強大的集成電路芯片。而200毫米硅錠的工廠也耗費了15億美元。下面就從硅錠的切片開始介紹CPU的制造過程。

在制成硅錠并確保其是一個絕對的圓柱體之后,下一個步驟就是將這個圓柱體硅錠切片,切片越薄,用料越省,自然可以生產(chǎn)的處理器芯片就更多。切片還要鏡面精加工的處理來確保表面絕對光滑,之后檢查是否有扭曲或其它問題。這一步的質量檢驗尤為重要,它直接 決定了成品CPU的質量。

新的切片中要摻入一些物質而使之成為真正的半導體材料,而后在其上刻劃代表著各種邏輯功能的晶體管電路。摻入的物質原子進入硅原子之間的空隙,彼此之間發(fā)生原子力的作用,從而使得硅原料具有半導體的特性。今天的半導體制造多選擇CMOS工藝(互補型金屬氧化物半導體)。其中互補一詞表示半導體中N型MOS管和P型MOS管之間的交互作用。而N和P在電子工藝中分別代表負極和正極。多數(shù)情況下,切片被摻入化學物質而形成P型襯底,在其上刻劃的邏輯電路要遵循nMOS電路的特性來設計,這種類型的晶體管空間利用率更高也更加節(jié)能。同時在多數(shù)情況下,必須盡量限制pMOS型晶體管的出現(xiàn),因為在制造過程的后期,需要將N型材料植入P型襯底當中,而這一過程會導致pMOS管的形成。

在摻入化學物質的工作完成之后,標準的切片就完成了。然后將每一個切片放入高溫爐中加熱,通過控制加溫時間而使得切片表面生成一層二氧化硅膜。通過密切監(jiān)測溫度,空氣成分和加溫時間,該二氧化硅層的厚度是可以控制的。在intel的90納米制造工藝中,門氧化物的寬度小到了驚人的5個原子厚度。這一層門電路也是晶體管門電路的一部分,晶體管門電路的作用是控制其間電子的流動,通過對門電壓的控制,電子的流動被嚴格控制,而不論輸入輸出端口電壓的大小。

準備工作的最后一道工序是在二氧化硅層上覆蓋一個感光層。這一層物質用于同一層中的其它控制應用。這層物質在干燥時具有很好的感光效果,而且在光刻蝕過程結束之后,能夠通過化學方法將其溶解并除去。

三、水晶和瑪瑙哪個是sio2快速冷卻形成的,哪個是sio2緩慢冷卻形成的

這個問題很尖銳啊,呵呵,應該找有關的科學家解釋下更好。我就把我的理解說說吧。先說明一點,不是所有的水晶都與瑪瑙共生,與瑪瑙共生的水晶也通常是小水晶、水晶芽。 瑪瑙和水晶的主要成分都是二氧化硅,只是結晶不同,瑪瑙是多結晶體,而水晶是單體的。水晶的生長環(huán)境,多是在地底下、巖洞中,需要含有飽和的二氧化硅的水溶液,同時此中的壓力約需在大氣壓力下的二倍至三倍左右,溫度則需在550-600℃間,再給予適當時間,水晶就會依著「六方晶系」(hexagonal system)的自然法則,而結晶成六方柱狀的水晶了。而瑪瑙的形成要比水晶的條件簡單,時間也快。我們知道,在地球的深部有大量處于熔融狀態(tài)的巖漿。當受到地質構造活動影響時,巖漿上升,涌入地球表層----地殼,在這一過程中,由于溫度、壓力等條件的改變,便從巖漿中分離出含二氧化硅的熱水溶液。當它流入巖石縫隙中后,冷卻沉淀發(fā)生的如果很快,就只能形成細顆粒的瑪瑙和玉髓之類的;如果有充足的溫度和時間,就容易生長出水晶。

四、硅酸鈉能直接制取2氧化硅?

硅酸鈉不能直接制取2氧化硅。

五、太陽能電池組件生產(chǎn)工藝流程

太陽能電池組件生產(chǎn)工藝

組件線又叫封裝線,封裝是太陽能電池生產(chǎn)中的關鍵步驟,沒有良好的封裝工藝,多好的電池也生產(chǎn)不出好的組件板。電池的封裝不僅可以使電池的壽命得到保證,而且還增強了電池的抗擊強度。產(chǎn)品的高質量和高壽命是贏得可客戶滿意的關鍵,所以組件板的封裝質量非常重要。

工藝流程如下:

1、電池檢測——2、正面焊接—檢驗—3、背面串接—檢驗—4、敷設(玻璃清洗、材料切割、玻璃預處理、敷設)——5、層壓——6、去毛邊(去邊、清洗)——7、裝邊框(涂膠、裝角鍵、沖孔、裝框、擦洗余膠)——8、焊接接線盒——9、高壓測試——10、組件測試—外觀檢驗—11、包裝入庫;

1.2工藝簡介:

在這里只簡單的介紹一下工藝的作用,給大家一個感性的認識,具體內容后面再詳細介紹:

1、電池測試:由于電池片制作條件的隨機性,生產(chǎn)出來的電池性能不盡相同,所以為了有效的將性能一致或相近的電池組合在一起,所以應根據(jù)其性能參數(shù)進行分類;電池測試即通過測試電池的輸出參數(shù)(電流和電壓)的大小對其進行分類。以提高電池的利用率,做出質量合格的電池組件。

2、 正面焊接:是將匯流帶焊接到電池正面(負極)的主柵線上,匯流帶為鍍錫的銅帶,我們使用的焊接機可以將焊帶以多點的形式點焊在主柵線上。焊接用的熱源為一個紅外燈(利用紅外線的熱效應)。焊帶的長度約為電池邊長的2倍。多出的焊帶在背面焊接時與后面的電池片的背面電極相連。(我們公司采用的是手工焊接)

3、背面串接:背面焊接是將36片電池串接在一起形成一個組件串,我們目前采用的工藝是手動的,電池的定位主要靠一個膜具板,上面有36個放置電池片的凹槽,槽的大小和電池的大小相對應,槽的位置已經(jīng)設計好,不同規(guī)格的組件使用不同的模板,操作者使用電烙鐵和焊錫絲將“前面電池”的正面電極(負極)焊接到“后面電池”的背面電極(正極)上,這樣依次將36片串接在一起并在組件串的正負極焊接出引線。

4、層壓敷設:背面串接好且經(jīng)過檢驗合格后,將組件串、玻璃和切割好的EVA 、玻璃纖維、背板按照一定的層次敷設好,準備層壓。玻璃事先涂一層試劑(primer)以增加玻璃和EVA的粘接強度。敷設時保證電池串與玻璃等材料的相對位置,調整好電池間的距離,為層壓打好基礎。(敷設層次:由下向上:玻璃、EVA、電池、EVA、玻璃纖維、背板)。

5、組件層壓:將敷設好的電池放入層壓機內,通過抽真空將組件內的空氣抽出,然后加熱使EVA熔化將電池、玻璃和背板粘接在一起;最后冷卻取出組件。層壓工藝是組件生產(chǎn)的關鍵一步,層壓溫度層壓時間根據(jù)EVA的性質決定。我們使用快速固化EVA時,層壓循環(huán)時間約為25分鐘。固化溫度為150℃。

6、修邊:層壓時EVA熔化后由于壓力而向外延伸固化形成毛邊,所以層壓完畢應將其切除。

7、 裝框:類似與給玻璃裝一個鏡框;給玻璃組件裝鋁框,增加組件的強度,進一步的密封電池組件,延長電池的使用壽命。邊框和玻璃組件的縫隙用硅酮樹脂填充。各邊框間用角鍵連接。

8、焊接接線盒:在組件背面引線處焊接一個盒子,以利于電池與其他設備或電池間的連接。

9、高壓測試:高壓測試是指在組件邊框和電極引線間施加一定的電壓,測試組件的耐壓性和絕緣強度,以保證組件在惡劣的自然條件(雷擊等)下不被損壞。

10、組件測試:測試的目的是對電池的輸出功率進行標定,測試其輸出特性,確定組件的質量等級。

標簽:太陽能電池工藝流程組件


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