光刻機，就是用光線在硅晶圓上刻畫出電路圖來。所以最核心的分為兩方面：一是技術(shù)，二是工藝。落實到具體的對象上，就是鏡頭和激光光源，以此來分析中國在這兩項技術(shù)上的所需的進程，就能大致了解中國造出5nm的光刻機需要多長時間了。

為何非要5nm這個參數(shù)級的光刻機中國的中芯國際最近向荷蘭的ASML成功訂購了一臺光刻機，但生產(chǎn)最高極限是7nm的芯片，要想突破7nm的這個技術(shù)瓶頸，就必須使用EUV（極紫外光源）技術(shù)，這所購的這臺光刻機不含EUV光源的技術(shù)。

不是可以買嗎？但買到。因為：

EUV（極紫外光源）研究是多個國家參與的（包括美國）。根據(jù)《瓦森納協(xié)定》美國就可以決定不賣給你。上面說的中芯國際訂購的7nm芯片的光刻機，如果美國要使壞，要想成功訂購也是不容易的。

20年前明確的目標，是5nm的EUV光刻機研發(fā)的最佳時間早在1999年，EUV光刻機的地位就已經(jīng)很明確了，誰有了EUV光刻機的技術(shù)，誰就有了芯片領(lǐng)域的未來。1997年的時候，美國的多家企業(yè)就發(fā)現(xiàn)了EUV技術(shù)商業(yè)價值，就聯(lián)合進行了開發(fā)，也已明確了目標，這是全世界都不是什么秘密，中國沒有進行相應(yīng)的產(chǎn)業(yè)調(diào)整和重視。

研發(fā)5nm的EUV光刻機所需的資源5nm的光刻機，必然要用到EUV技術(shù)，美國研發(fā)的最早，我們看一下世界范圍內(nèi)關(guān)于EUV技術(shù)研究和投入的情況：

1、美國

美國對EUV技術(shù)的研發(fā)時間最長，總共投入了50多個高校和科技企業(yè)進入到這個領(lǐng)域，最終在EUV光刻機領(lǐng)域，美國的占領(lǐng)先地位，收益也是最大的。

2、歐洲

對于EUV光刻機看的最重，聯(lián)合了35個國家，共110多個高校和企業(yè)加入到研究的行列中。

3、日本和韓國

投入相對較小，但也有一定的成果

就是說，EUV（紫外光源）的研究是多個國家參與的，包括了美國、歐洲多國還有日本、韓國，美國出力最多，所以不買給中國。

結(jié)論：幾十個國家，上百所研究單位，花費了20多年的時間，才研發(fā)出今天的EUV光刻機，實現(xiàn)了5nm級別制程的芯片。

到底研究了啥要生產(chǎn)EUV光刻機，最關(guān)鍵和核心的研究課題有兩個：鏡頭和激光光源。

1、鏡頭

現(xiàn)在世界上高端光刻機使用的是德國的卡爾蔡司光學(xué)鏡頭，世界上沒有哪家公司能夠復(fù)制卡爾蔡司的技術(shù)。

從長遠觀點看，中國也應(yīng)發(fā)展自己的高端鏡頭產(chǎn)業(yè)，但中國與德國的關(guān)系還算可以， 不妨先拿來用，一邊用一邊研究，這樣可以減少研發(fā)時間。

2、激光光源

這個核心技術(shù)是必須研究的，因為美國把持著《瓦森納協(xié)定》，中國處在被禁運國家之列。就是說只要美國干預(yù)，中國將無法獲得EUV光刻機。

因為這個EUV技術(shù)，美國和歐洲幾十個國家（包括日本和韓國）研究了20多年，中國需要用多久呢？心里應(yīng)該有一個底了吧。

綜上所述，中國要研發(fā)EUV技術(shù)需要投入相當(dāng)大的資源，當(dāng)然中國是一個工業(yè)部門齊全的大國，集中力量辦大事是中國制度的優(yōu)點，但是，研發(fā)需要遵重科學(xué)規(guī)律，要有一個過程，像歐美日韓都需要近20年時間，那們打個折扣，總需要10年吧。歡迎討論，謝謝點評！

最近關(guān)于芯片的話題十分火爆，并且引起了網(wǎng)友們關(guān)注，從而也有很多人將關(guān)注點延伸到有芯片的設(shè)備上，提到制造芯片的設(shè)備，那首先想到的就一定是光刻機，所以大家針對光刻機的關(guān)注度不小于芯片。

從源頭延伸，談光刻機那就一定要了解ASML（阿斯麥），以目前的情況來講這家企業(yè)，稱得上是全球光刻機生產(chǎn)企業(yè)的獨角獸，最高端及最先進的光刻機，都是由這家公司生產(chǎn)的，像臺積電、三星、英特爾甚至華為這樣國內(nèi)頂尖的科技企業(yè)，都對其有所依賴。

但是在大家將目光的關(guān)注點都放在光刻機上的時候，一定要了解在芯片制造過程當(dāng)中中，其實還有一件設(shè)備起到關(guān)鍵性作用，這種設(shè)備和光刻機類似，那就是刻蝕機，可能很多人對光刻機的了解，要遠遠高于刻蝕機，但這并不足為奇。

不過這里要著重的說一點，雖然很多人在光刻機的研發(fā)進度上有唱衰的想法，但在刻蝕機的技術(shù)領(lǐng)域中，我們國家還是十分先進的，并且在2018年中微半導(dǎo)體，就已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)5nm的刻蝕機，目前已交給臺積電驗證了。

如今，中微與泛林、應(yīng)用材料、東京電子、日立4家美日企業(yè)一起，組成了國際第一梯隊，為7納米芯片生產(chǎn)線供應(yīng)刻蝕機。而明年，臺積電將率先進入5納米制程，已通過驗證的國產(chǎn)5納米刻蝕機，預(yù)計會獲得比7納米生產(chǎn)線更大的市場份額。

事實上目前中國能生產(chǎn)的光刻機的技術(shù)是90nm，還在攻關(guān)65nm，45nm等技術(shù)，離ASML的7nm量產(chǎn)技術(shù)，差得還太遠，別說幾十年，十年八年的差距還是有的。

ASML光刻機其實這兩種設(shè)備的功能是完全不一樣的，光刻機的意思是用光來刻錄，即用光線在硅晶圓上刻畫出電路圖來。而刻蝕機則相反，用光來把不需要的部分去掉，只保留劃了電路圖的部分。

為何國內(nèi)能生產(chǎn)5nm的刻蝕機，卻只能生產(chǎn)90nm的光刻機最主要的原因是光刻機技術(shù)更復(fù)雜，設(shè)備也更復(fù)雜，很多的零部件是美日韓壟斷的，比如光源，國產(chǎn)的就完全技術(shù)不過關(guān)，跟不上。甚至不僅是中國跟不上，之前和ASML一樣輝煌的尼康、cannon都落后了，跟不上ASML的節(jié)奏了。

標簽：刻機中國多長