工業上生產氯乙烷要將乙烯和溶解在氯乙烷中，是因為：
1）乙烯和的加成反應需要溶劑。
2）以產品作溶劑，不會帶入雜質，后處理也簡單很多。比如說以酒精作溶劑，最后要把酒精拿出來，產品氯乙烷中殘留的酒精很難拿干凈，無形中消耗了大量的能耗和人工，增加了雜質，而以產品做溶劑，后處理簡單的多，把未反應的原料去干凈就可以。

工業生產氯化氫用氯氣和氫氣在光照條件下生成？

工業上是用氫與氯在 250℃直接化合以制取.你說的可能是回收的利用制法。

多晶硅生產技術

目前國際上多晶硅生產主要的傳統工藝有：改良西門子法、硅烷法和流化床法。新一代低成本多晶硅工藝技術研究空前活躍。除了傳統工藝及技術升級外，還涌現出了幾種專門生產太陽能級多晶硅的新工藝技術，主要有：改良西門子法的低價格工藝；冶金法從金屬硅中提取高純度硅；高純度SiO2直接制取；熔融析出法；還原或熱分解工藝；無氯工藝技術，Al－Si溶體低溫制備太陽能級硅；熔鹽電解法等。
多晶硅生產工藝：
1 杜邦法
2 貝爾法
3 西門子法
4 U.C.C法 硅烷法
5 其他
西門子法：氯化SI+HCL---SIHCL3+SICL4
還原SIHCL3+H2---SI+HCL
氫化SICL4+H2---SIHCL3+HCL20
國內外多晶硅生產的主要工藝技術
1，改良西門子法——閉環式三氯氫硅氫還原法
改良西門子法是用氯和氫合成，和工業硅粉在一定的溫度下合成三氯氫硅，然后對三氯氫硅進行分離精餾提純，提純后的三氯氫硅在氫還原爐內進行CVD反應生產高純多晶硅。
國內外現有的多晶硅廠絕大部分采用此法生產電子級與太陽能級多晶硅。
2，硅烷法——硅烷熱分解法
硅烷是以四氯化硅氫化法、硅合金分解法、氫化物還原法、硅的直接氫化法等方法制取。然后將制得的硅烷氣提純后在熱分解爐生產純度較高的棒狀多晶硅。以前只有日本小松掌握此技術，由于發生過嚴重的爆炸事故后，沒有繼續擴大生產。但美國Asimi和SGS公司仍采用硅烷氣熱分解生產純度較高的電子級多晶硅產品。
3，流化床法
以四氯化硅、氫氣、和工業硅為原料在流化床內高溫高壓下生成三氯氫硅，將三氯氫硅再進一步歧化加氫反應生成二氯二氫硅，繼而生成硅烷氣。
制得的硅烷氣通入加有小顆粒硅粉的流化床反應爐內進行連續熱分解反應，生成粒狀多晶硅產品。因為在流化床反應爐內參與反應的硅表面積大，生產效率高，電耗低與成本低，適用于大規模生產太陽能級多晶硅。唯一的缺點是安全性差，危險性大。其次是產品純度
不高，但基本能滿足太陽能電池生產的使用。
此法是美國聯合碳化合物公司早年研究的工藝技術。目前世界上只有美國MEMC公司采用此法生產粒狀多晶硅。此法比較適合生產價廉的太陽能級多晶硅。
4，太陽能級多晶硅新工藝技術
除了上述改良西門子法、硅烷熱分解法、流化床反應爐法三種方法生產電子級與太陽能級多晶硅以外，還涌現出幾種專門生產太陽能級多晶硅新工藝技術。
1）冶金法生產太陽能級多晶硅
據資料報導日本川崎制鐵公司采用冶金法制得的多晶硅已在世界上最大的太陽能電池廠應用，現已形成800噸/年的生產能力，全量供給SHARP公司。
主要工藝是：選擇純度較好的工業硅進行水平區熔單向凝固成硅錠，去除硅錠中金屬雜質聚集的部分和外表部分后，進行粗粉碎與清洗，在等離子體融解爐中去除硼雜質，再進行第二次水平區熔單向凝固成硅錠，去除第二次區熔硅錠中金屬雜質聚集的部分和外表部分，經粗粉碎與清洗后，在電子束融解爐中去除磷和碳雜質，直接生成太陽能級多晶硅。
2）氣液沉積法生產粒狀太陽能級多晶硅
據資料報導以日本Tokuyama公司為代表，目前10噸試驗線在運行，200噸半商業化規模生產線在2005-2006年間投入試運行。
主要工藝是：將反應器中的石墨管的溫度升高到1500℃，流體
三氯氫硅和氫氣從石墨管的上部注入，在石墨管內壁1500℃高溫處反應生成液體狀硅，然后滴入底部，溫度回升變成固體粒狀的太陽能級多晶硅。
3）重摻硅廢料提純法生產太陽能級多晶硅
據美國Crystal Systems資料報導，美國通過對重摻單晶硅生產過程中產生的硅廢料提純后，可以用作太陽能電池生產用的多晶硅，最終成本價可望控制在20美元/Kg

標簽：多晶硅生產技術