材料是一個交叉型學科，覆蓋材料、機械、電子等多學科專業知識，因此畢業后的選擇也是多向的。
比如從事機械專業，計算機專業，當然還包括材料專業，可以根據自己的喜好去選擇就業方向。工作單位和性質主要是在生產一線（技術員），當然也可以從事研究開發工作等。比如鋼材廠，各種機械加工企業，汽車制造業等等等等，就業的選擇面是很大的。對于分科來說，無機材料的就業形勢要比有機材料好得多，主要是這方面的市場需求大。

新型材料的應用及其意義

光電子材料
optoelectronic material

在光電子技術領域應用的，以光子、電子為載體，處理、存儲和傳遞信息的材料。光電子技術是結合光學和電子學技術而發展起來的一門新技術，主要應用于信息領域，也用于能源和國防領域。已使用的光電子材料主要分為光學功能材料、激光材料、發光材料、光電信息傳輸材料（主要是光導纖維）、光電存儲材料、光電轉換材料、光電顯示材料（如電致發光材料和液晶顯示材料）和光電集成材料。

（一）新型光電子材料及相關基礎材料、關鍵設備和特種光電子器件

1、光電子基礎材料、生長源和關鍵設備
研究目標：突破新型生長源關鍵制備技術，掌握相關的檢測技術；突破半導體光電子器件的基礎材料制備技術，實現產業化。
研究內容及主要指標：
1) 高純四氯化硅(4N)的純化技術和規模化生產技術(B類，要求企業負責并有配套投入)
2) 高純(6N)三甲基銦規模化生產技術(B類，要求企業負責并有配套投入)
3) 可協變(Compliant)襯底關鍵技術(A類)
4) 襯底材料制備與加工技術(B類)
重點研究開發外延用藍寶石、GaN、SiC等襯底材料的高標拋光產業化技術（Epi-ready級）；大尺寸（>2）藍寶石襯底材料制備技術和產業化關鍵技術。藍寶石基GaN器件芯片切割技術。
5) 用于平板顯示的光電子基礎材料與關鍵設備技術(A類)
大面積(對角線>14〃)的定向排列碳納米管或納米棒薄膜生長的關鍵技術; 等離子體平板顯示用的新型高效熒光粉的關鍵技術。

2、人工晶體和全固態激光器技術
研究目標：研究探索新型人工晶體材料與應用技術，突破人工晶體的產業化關鍵技術，研制大功率全固態激光器，解決產業化關鍵技術問題。
研究內容及主要指標：
1) 新型深紫外非線性光學晶體材料和全固態激光器(A類);
2) 面向光子/聲子應用的人工微結構晶體材料與器件 (A類);
3) 研究開發瓦級紅、藍全固態激光器產業化技術(B類)，高損傷閾值光學鍍膜關鍵技術(B類)，基于全固態激光器的全色顯示技術(A類);
4) 研究開發大功率半導體激光器陣列光纖耦合模塊產業化技術(B類);
5) Yb系列激光晶體技術(A類)。

3、新型半導體材料與光電子器件技術
研究目標：重點研究自組裝半導體量子點、ZnO晶體和低維量子結構、窄禁帶氮化物等新型半導體材料及光電子器件技術。
研究內容及主要指標：
1) 研究ZnO晶體、低維量子結構材料技術，研制短波長光電子器件 (A類)
2) 自組裝量子點激光器技術 (A類)
3) Ⅲ-Ⅴ族窄禁帶氮化物材料及器件技術(A類)
4) 光泵浦外腔式面發射半導體激光器(A類)

4、 光電子材料與器件產業化質量控制技術(A類)
研究目標：發展人工晶體與全固態激光器、GaN基材料及器件表征評價技術，解決產業化質量控制關鍵技術。
研究內容：重點研究人工晶體與全固態激光器、GaN基材料及器件質量監測新方法與新技術，相關產品測試條件與數據標準化研究。

5、光電子材料與器件的微觀結構設計與性能預測研究(A類)
研究目標：提出光電子新材料、新器件的構思，為原始創新提供理論概念與設計
研究內容：針對光電子技術的發展需求，結合本主題的研制任務，采用建立分析模型、進行計算機模擬，在不同尺度（從原子、分子到納米、介觀及宏觀）范圍內，闡明材料性能與微觀結構的關系，以利性能、結構及工藝的優化。解釋材料制備實驗中的新現象和問題，預測新結構、新性能，預報新效應，以利材料研制的創新。低維量子結構材料新型表征評價技術和設備。

（二）通信用光電子材料、器件與集成技術

1、集成光電子芯片和模塊技術
研究目標：突破并掌握用于光電集成(OEIC)、光子集成(PIC)與微光電機械(MOEMS)方面的材料和芯片的關鍵工藝技術，以典型器件的研制帶動研究開發工藝平臺的建設和完善，探索集成光電子系統設計和工藝制造協調發展的途徑，促進芯片、模塊和組件的產業化。
研究內容及主要指標：
1) 光電集成芯片技術
(1)速率在2.5Gb/s以上的長波長單片集成光發射機芯片及模塊關鍵技術(A類)
(2) 高速 Si基單片集成光接收機芯片及模塊關鍵技術(A類)
2) 基于平面集成光波導技術的OADM芯片及模塊關鍵技術(A類)
3) 平面光波導器件的自動化耦合封裝關鍵技術(B類)
4) 基于微光電機械(MOEMS)芯片技術的8′8以上陣列光開關關鍵技術(A類)
5) 光電子芯片與集成系統(Integrated System)的無生產線設計技術研究(A類)

2、 通信光電子關鍵器件技術
研究目標：針對干線高速通信系統和密集波分復用系統、全光網絡以及光接入網系統的需要，重點進行一批技術含量高、市場前景廣闊的目標產品和單元技術的研究開發，迅速促進相應產品系列的形成和規模化生產，顯著提高我國通信光電子關鍵器件產業的綜合競爭能力。
研究內容及主要指標：
(1) 速率在10Gb/s以上的高速光探測器組件(PIN-TIA) 目標產品和規模化生產技術，直接調制DFB-LD目標產品和規模化生產技術，光轉發器(Transponder)目標產品和規模化生產技術；(均為B類，要求企業負責并有配套投入)
(2) 40通道、0.8nm間隔EDFA動態增益均衡關鍵技術(A類)；
(3) InGaNAs高性能激光器研究(A類)；
(4) 光波長變換器關鍵技術和目標產品(B類)；
(5) 可調諧激光器目標產品(A類)；
(6) 用于無源光網絡(EPON)的突發式光收發模塊關鍵技術和目標產品(B類)。

3、光纖制造新技術及新型光纖
研究目標：研究開發并掌握具有自主知識產權的光纖預制棒制造技術；研究開發新一代通信光纖，推動光纖通信系統在高速、大容量骨干網以及接入網中的應用。
研究內容和主要指標：
1) 光纖預制棒制造新技術(B類，要求企業負責并有配套投入)；
2) 新型特種光纖(A類)。

（三）面向信息獲取、處理、利用的光電子材料與器件

1．GaN材料和器件技術
研究目標：重點突破用于藍光激光器襯底的GaN體單晶生長技術。
研究內容及主要指標：
大面積、高質量GaN體單晶生長技術。

2、超高亮度全色顯示材料與器件應用技術
研究目標：研究開發用于場致電子發射平板顯示器（FED）材料和器件結構，以及超高亮度冷陰極發光管制作和應用的關鍵技術。
說明：等離子體平板顯示器和高亮度、長壽命有機發光器件（OLED）和FED的產業化關鍵技術將于平板顯示專項中考慮。
研究內容及主要指標：
1) 超高亮度冷陰極發光管制作和應用的關鍵技術(A類);
2) 研制FED用的、能夠在低電壓下工作的新型冷陰極電子源結構、新型冷陰極電子發射材料(A類)。

3、超高密度光存儲材料與器件技術
研究目標：發展具有自主知識產權的超高密度、大容量、高速度光存儲材料和技術，達到國際先進水平，為發展超高密度光存儲產業打下基礎。
研究內容及主要指標：
1) DVD光頭用光源和非球面透鏡等產業化關鍵技術(B類)；
2) 新型近場光存儲材料和器件(A類)。

4、光傳感材料與器件技術
研究目標：以特殊環境應用為目的，實現傳感元器件的產業化技術開發；研究開發新型光電傳感器。
研究內容及主要指標：
1) 光纖光柵溫度、壓力、振動傳感器的產業化技術(B類，要求企業負責并有配套投入);
2) 銻化物半導體材料及室溫無制冷紅外焦平面探測器技術(A類);
3) 大氣監測用高靈敏紅外探測器及其列陣(A類) ;
4) 基于新概念、新原理的光電探測技術(A類);

5、新型有機光電子材料及器件
研究目標：研究開發新型有機半導體材料及其在光顯示等領域的應用。
研究內容及主要指標：：
1) 有機非線性光學材料及其在全光光開關中的應用(A類);
2) 有機半導體薄膜晶體管材料與器件技術(A類)。

標簽：其意新型材料應用