光觸媒產(chǎn)品是否一定要紫外線激發(fā)？　　不同材質(zhì)的光觸媒對應(yīng)的光波波長也不一樣，二氧化鈦（TiO2）是最常用的光觸媒原料，普通二氧化鈦（TiO2）需要在波長388nm（屬于紫外光）以下的光照下，才能起光催化作用。納米尺寸的（TiO2）性能異于普通（TiO2）粒子，能在可見光范圍內(nèi)就有很好的響應(yīng)效果，優(yōu)質(zhì)二氧化鈦類光觸媒粒徑在10nm以下，其在通過貴金屬摻雜、過度金屬摻雜、稀土元素?fù)诫s改性后，其能在可見光范圍內(nèi)響應(yīng)且催化效率增強(qiáng)。只需要有光便能使光催化反應(yīng)發(fā)生，不一定須要紫外線，銀河系光觸媒就是一個(gè)很不錯(cuò)的產(chǎn)品。

合成光催化劑為什么要加表面活性劑

應(yīng)該是改性問題吧~~~納米二氧化鈦的改性方法很多, 近年來,人們主要從以下兩個(gè)方面入手,提高 TiO2光催化劑的光譜響應(yīng)范圍和光催化效率。其一是通過摻雜等手段降低 TiO2的禁帶寬度,增加其吸收波長。主要采用的方法有: 1)摻雜過渡金屬: 金屬離子摻雜可在半導(dǎo)體表面引入缺陷位置或改變結(jié)晶度,成為電子或空穴的陷阱而延長壽命;2)表面光敏化:將光活性化合物化學(xué)吸附或物理吸附于催化劑表面從而擴(kuò)大激發(fā)波長范圍, 增加光催化反應(yīng)的效率; 3)表面螯合及衍生作用: 含硫化合物、OH-和乙二胺四乙酸 (EDTA )等螯合劑能影響一些半導(dǎo)體的能帶位置,使導(dǎo)帶移向更負(fù)的位置。其二是加入電子俘獲劑,使光生電子和空穴有效分離,降低 e-和 h+的復(fù)合速率, 主要采用的方法有: 1)貴金屬沉積: TiO2 表面沉積適量的貴金屬, 有利于光生電子和空穴的有效分離以及降低還原反應(yīng)(質(zhì)子的還原、溶解氧的還原)的超電壓, 大大提高了催化劑的活性, 研究最多的為 Pt的沉積, 其次Ag 、Pd和 Nb等金屬的摻雜也能降低 TiO2 的帶隙能; 2)復(fù)合半導(dǎo)體: 不同金屬離子的配位及電負(fù)性不同而產(chǎn)生過剩電荷, TiO2與半導(dǎo)體復(fù)合后增加半導(dǎo)體吸收質(zhì)子或電子的能力, 從而提高催化劑的活性。在二元復(fù)合半導(dǎo)體中, 兩種半導(dǎo)體之間的能級差能使電荷有效分離; 3)電子捕獲劑: 加入O2、H2O2和過硫酸鹽等電子捕獲劑, 可以捕獲光生電子,降低 e-與 h+的復(fù)合幾率, 從而提高光催化效率。

標(biāo)簽：成光表面活性劑催化劑