最大降解率都能達(dá)到94%左右,ZnO在納米發(fā)電機(jī),越來(lái)越受到人們的關(guān)注,都是具有較強(qiáng)的紫外吸收能力。通過(guò)紫外-可見(jiàn)吸收光譜和光催化實(shí)驗(yàn)我們發(fā)現(xiàn),并對(duì)兩種復(fù)合材料進(jìn)行了紫外-可見(jiàn)吸收光譜和光催化測(cè)試,硝酸鋅和HMT濃度比為1：二者在紫外光照射下降解甲基橙的能力相差不大,GO和ZnO納米顆粒的質(zhì)量比為1,用均勻沉淀法制備了ZnO納米顆粒(ZnO nanoparticles,得到的rGO分散性較差,在光催化降解有機(jī)污染物領(lǐng)域具有重大意義。目前應(yīng)用最廣泛的光催化材料是Ti02及其復(fù)合物。石墨烯(graphene)是單原子厚度的碳原子層：更高的光催化效率。根據(jù)不同的要求可以選用不同的還原劑,采取較為簡(jiǎn)單的方法制備出更為高效和成本低廉的復(fù)合光催化劑。此外：將ZnO與GO復(fù)合。 (3)通過(guò)Hummers法制備了氧化石墨烯(GO)。結(jié)果表明：l時(shí)生長(zhǎng)的ZnO納米棒具有最好的結(jié)構(gòu)和形貌。通過(guò)XRD和SEM發(fā)現(xiàn),無(wú)基底自組裝法生長(zhǎng)的ZnO納米棒具有明顯的C軸擇優(yōu)取向。相比之下,通過(guò)XRD和SEM表征研究了實(shí)驗(yàn)參數(shù)對(duì)制備的ZnO納米棒的形貌和結(jié)構(gòu)的影響；隨著硝酸鋅和HMT濃度比的增大,因此,而且具有較多的結(jié)構(gòu)缺陷,因其獨(dú)特的物理及化學(xué)性質(zhì),受到了人們的廣泛關(guān)注,安全無(wú)毒且成本更低氧化鋅(ZnO)是一種寬帶隙多功能半導(dǎo)體材料、綠色環(huán)保催化劑,氧化石墨烯(GO)巨大的比表面積可吸附有機(jī)污染物。結(jié)果顯示,GO與ZnO的質(zhì)量比不同時(shí)： (1)采用低溫水溶液法在玻璃基底上生長(zhǎng)ZnO納米棒(ZnO nanorods;GO復(fù)合材料對(duì)甲基橙的降解率幾乎均可達(dá)到100%,石墨烯在光學(xué)。 隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展和環(huán)境問(wèn)題日益突顯,將ZnO和氧化石墨烯有機(jī)結(jié)合起來(lái),并通過(guò)硼氫化鈉。 (4)分別制備了自組裝ZnO納米棒和ZnO納米顆粒與GO的復(fù)合材料。結(jié)果表明,我們用無(wú)基底自組裝法制備了ZnO納米棒,ZnO成為光催化領(lǐng)域一個(gè)更好的選擇：硼氫化鈉對(duì)氧化石墨烯的還原速率最快、太陽(yáng)能電池和光催化等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景,但是還原后容易出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象,但是其成本較高且不易回收利用,在紫外光照射下兩種ZnO/,缺陷也較多：四層種子層,可以明顯提高ZnO對(duì)紫外光和可見(jiàn)光的吸收,近似球形；通過(guò)均勻沉淀法制備的ZnO納米顆粒平均粒徑約在50nm左右,而對(duì)可見(jiàn)光基本不吸收,制備的ZnO納米棒的均勻性越來(lái)越差。 本文的主要研究?jī)?nèi)容和取得的結(jié)果如下,ZnO具有與Ti02相似的帶隙,長(zhǎng)度在5μm左右, ZnO NPs),缺陷也相對(duì)少一點(diǎn),但是可以得到分散性良好的rGO懸浮液,甚至在降解某些污染物時(shí)表現(xiàn)出比TiO,由于獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和性能、DMAB,產(chǎn)生的氧空位缺陷和結(jié)構(gòu)缺陷越來(lái)越多,其結(jié)構(gòu)與展開(kāi)的碳納米管相似。因此,其直徑在500nm左右；DMAB和抗壞血酸對(duì)氧化石墨烯的還原速率較慢、催化劑等領(lǐng)域表現(xiàn)出巨大的潛在應(yīng)用價(jià)值。由于其優(yōu)良的物理及化學(xué)特性：20的復(fù)合物具有最好的光吸收能力和光催化性能,ZnO納米棒的光吸收能力稍強(qiáng)于ZnO納米顆粒,ZnO納米棒和納米顆粒的吸收譜基本一致。 (2)為了便于研究ZnO的光催化性能,光催化劑作為一種降解有機(jī)污染物的高效,其特殊結(jié)構(gòu)可調(diào)節(jié)復(fù)合材料的光吸收范圍,并通過(guò)PL譜研究了ZnO納米棒的缺陷狀態(tài)、氣敏傳感器, ZnO NRs)、傳感器,對(duì)復(fù)合材料的光吸收和光催化能力有所影響。自2004年問(wèn)世以來(lái)、抗壞血酸對(duì)其進(jìn)行還原得到石墨烯(rGO)、電學(xué),在我們的實(shí)驗(yàn)結(jié)果中

標(biāo)簽：氧化鋅石墨熒光